Wielopikselowy detektor promieniowania THz zrealizowany z wykorzystaniem selektywnych tranzystorów MOS i jego zastosowanie w biologii, medycynie i systemach bezpieczeństwa

 

Promocja projektu

2015

 

  • C. Kołaciński, D. Obrębski, J. Marczewski, P. Zagrajek, „Low Noise Readout Circuit for THz Measurements without Using Lock-in Technique”, Proceedings of the 40th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Hong Kong, 23-28.08.2015, 2015, str. 1-2

DOI: 10.1109/IRMMW-THz.2015.7327919

 

  • D. Coquillat, J. Marczewski, P. Kopyt, N. Dyakonova, S. Ruffenach, D. But, F. Teppe, F. Schuster, B. Giffard, W. Knap, „Experimental and Theoretical Investigations of the Responsivity of the Field Effect Transistors Based Terahertz Detectors Versus Substrate Thickness", Proceedings of the 40th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Hong Kong, 23-28.08.2015, str. 1-2

DOI: 10.1109/IRMMW-THz.2015.7327780

 

  • P. Zagrajek, J. Marczewski, M. Zaborowski, M. Piszczek, „Silicon junctionless field effect transistors as room temperature terahertz detectors”, Proceedings of the 40th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Hong Kong, 23-28.08.2015, 2015, str. 1-2

DOI: 10.1109/IRMMW-THz.2015.7327433

 

  • P. Kopyt, B. Salski, P. Zagrajek, J. Marczewski, „Affordable Sub-THz Band-Pass Mesh Filters”, Proc. MIKON-2016, 2016

DOI: 10.1109/MIKON.2016.7492134

 

  • C. Kołaciński, D. Obrębski, M. Zbieć, „The Complete Readout System for THz Spectroscopy”, Proceedings of the 22nd International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, Toruń, 25-27.06.2015, 2015, str. 396-401

 

  • J. Marczewski, W. Knap, D. Tomaszewski, M. Zaborowski, and P. Zagrajek, „Silicon junctionless field effect transistors as room temperature terahertz detectors”, Journal of App. Phys. vol. 118, p.104502 (2015)

DOI: 10.1063/1.4929967

 

  • C. Kołaciński, D. Obrębski, M. Zbieć, P. Zagrajek, „Design of Multichannel Readout System for Spectral Identification of Materials”, International Journal of Microelectronics and Computer Science, vol. 6, nr. 2, str. 35-42 (2015)

 
 

Używamy cookies i podobnych technologii m.in. w celu świadczenia usług i w celach statystycznych. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce, w jej ustawieniach. Jeżeli wyrażasz zgodę na zapisywanie informacji zawartej w cookies, kliknij „Zamknij”. Jeżeli nie wyrażasz zgody – zmień ustawienia swojej przeglądarki. Więcej informacji znajdziesz w naszej Polityce cookies

Zamknij X